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最終更新日:2017.04.28

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電子物性 ─電子デバイスの基礎─

電子物性

A5/224ページ/2014年03月15日
ISBN978-4-254-22160-2 C3055
定価3,456円(本体3,200円+税)

浜口智尋 ・森伸也 著

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紀伊國屋書店 旭屋倶楽部 東京都書店案内

大学学部生・高専学生向けに,電子物性から電子デバイスまでの基礎をわかりやすく解説した教科書.近年目覚ましく発展する分野も丁寧にカバーする。章末の演習問題には解答を付け,自習用・参考書としても活用できる。

目次

1. 原子および結晶
1.1 物質の波動論と量子論
1.2 水素原子の電子状態
1.3 原子内の電子配列
1.4 固体の結合力
 1.4.1 イオン結晶
 1.4.2 等極性結晶
 1.4.3 金属
 1.4.4 ファン・デル・ワールス結晶
1.5 結晶構造
1.6 結晶の格子振動
1.7 統計
 1.7.1 マクスウェル・ボルツマンの統計
 1.7.2 ボース・アインシュタインの統計
 1.7.3 フェルミ・ディラックの統計
問題

2. 物質の誘電的性質
2.1 誘電率
2.2 局所電界
2.3 クラウジウス・モソッチの式
2.4 分極の種類と誘電分散
 2.4.1 電子分極
 2.4.2 イオン分極
 2.4.3 配向分極
2.5 誘電損失
2.6 強誘電体
2.7 圧電性
問題

3. 金属
3.1 自由電子モデル
3.2 ブロッホの定理
3.3 エネルギー帯構造
 3.3.1 ほとんど自由な電子による近似
 3.3.2 ブリルアン領域とエネルギー帯構造
 3.3.3 自由電子帯と擬ポテンシャル法
3.4 金属,半導体,絶縁体の区別
3.5 有効質量
3.6 正孔の概念
3.7 電気伝導
3.8 マッティーセンの法則
3.9 熱伝導
3.10 超伝導
 3.10.1 第一種超伝導体
 3.10.2 第二種超伝導体
 3.10.3 ロンドン方程式
 3.10.4 BCS 理論
 3.10.5 トンネル効果
 3.10.6 ジョセフソン効果
問題

4. 半導体
4.1 真性半導体の電子統計
4.2 不純物半導体
 4.2.1 ドナーとアクセプタ
 4.2.2 n 型半導体の電子統計
4.3 ホール効果
4.4 移動度
4.5 拡散とアインシュタインの関係
4.6 キャリアの寿命と再結合
4.7 拡散距離
4.8 pn 接合
 4.8.1 p {n 接合とn {p 接合
 4.8.2 接合容量
 4.8.3 ショットキーダイオード
 4.8.4 トンネルダイオード
4.9 トランジスタ
4.10 MOS 型電界効果トランジスタ
 4.10.1 MOS 構造とMOSFET
 4.10.2 MOS 構造の基礎
 4.10.3 表面ポテンシャルと表面電荷
 4.10.4 MOS 構造の静電容量
 4.10.5 MOSFET の電気特性
4.11 半導体の磁界効果
 4.11.1 サイクロトロン共鳴
 4.11.2 電流磁気効果
4.12 光学過程
 4.12.1 光吸収
 4.12.2 励起子
4.13 半導体レーザ
 4.13.1 アインシュタインの係数A, B 
 4.13.2 反転分布
 4.13.3 光共振器
 4.13.4 半導体レーザの発光スペクトル
 4.13.5 半導体2 重へテロ構造レーザ
問題

5. 磁性
5.1 磁気モーメントと磁化率
5.2 反磁性とラーマ歳差運動
5.3 フントの規則
5.4 常磁性磁化率
 5.4.1 古典論とキュリーの法則
 5.4.2 量子論
 5.4.3 金属の常磁性(パウリのスピン磁化率) 
5.5 強磁性
 5.5.1 キュリー・ワイスの法則
 5.5.2 キュリー温度以下での自発磁化
 5.5.3 スピン波
5.6 フェリ磁性
5.7 反強磁性
5.8 磁気共鳴
 5.8.1 電子スピン共鳴
 5.8.2 核磁気共鳴
問題

問題解答
索  引

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正誤表(34.3KB・)

『電子物性』の正誤表です