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最終更新日:2017.10.16

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シリーズ: 電子・情報通信基礎シリーズ 3

電子デバイス

電子デバイス

A5/208ページ/2001年01月10日
ISBN978-4-254-22783-3 C3355
定価3,672円(本体3,400円+税)

木村忠正 著

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紀伊國屋書店 旭屋倶楽部 東京都書店案内

理論の解説に終始せず,応用の実際を見据え高容量・超高速性を念頭に置き解説。〔内容〕固体の電気伝導/半導体/接合/バイポーラトランジスタ/電界効果トランジスタ/マイクロ波デバイス/光デバイス/量子効果デバイス/集積回路

目次

1. 固体の電気伝導
 1.1 電気伝導率
 1.2 ドリフトと拡散
 1.3 金属,半導体,絶縁体の電気伝導
 1.4 金属,半導体,絶縁体のエネルギーバンド
 1.5 状態密度とフェルミ分布
2. 半導体
 2.1 種々の半導体
 2.2 半導体のバンドギャップの役割
 2.3 真性半導体と不純物半導体
 2.4 半導体のフェルミ準位
 2.5 キャリヤの発生と消滅
 2.6 半導体におけるキャリヤの連続式
3. 接合
 3.1 pn 接合
 3.2 pn 接合の降伏現象
 3.3 金属−半導体接触
 3.4 ヘテロ接合
 3.5 電子放出
4. バイポーラトランジスタ
 4.1 バイポーラトランジスタの動作原理
 4.2 トランジスタの小信号等価回路
 4.3 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
 4.4 サイリスタ
5. 電界効果トランジスタ
 5.1 電界効果トランジスタの構造
 5.2 MOS構造
 5.3 MOSFET
 5.4 JFET,MESFET
 5.5 静電誘導トランジスタ
 5.6 ヘテロ接合IGFET
6. マイクロ波デバイス
 6.1 種々のマイクロ波デバイス
 6.2 ミクサダイオード
 6.3 走行時間効果素子
 6.4 電子遷移効果素子
7. 光デバイス
 7.1 種々の光デバイスとその物理
 7.2 自然放出,誘導放出,(誘導)吸収
 7.3 半導体の光吸収と光放出
 7.4 欠陥,不純物準位を介する発光
 7.5 励起子(エキシトン)
 7.6 光デバイス用半導体
 7.7 pn 接合発光ダイオード
 7.8 レーザダイオード
 7.9 受光ダイオード
 7.10 電界発光デバイス
 7.11 外部電界,磁界,応力による光学的性質の変化
 7.12 光回路
8. 量子効果デバイス
 8.1 種々の量子構造
 8.2 共鳴トンネルダイオード
 8.3 電子波デバイス
9. 集積回路
 9.1 集積回路とは
 9.2 シリコン集積回路基本プロセス
 9.3 集積回路デバイスと技術
 9.4 半導体メモリ
 9.5 CCD
 9.6 モノリシックIC
10. 演習問題解答
11. 参考文献
12. 付  録
13. 索  引

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「電子デバイス」正誤表(269.6KB・)

「電子デバイス」初版への正誤表です(2016年4月更新)。