トランジスタとICのための 電子回路I ―アナログ編―

D.L. シリングC. ビラブ(著)/岡部 豊比古(監修)/山中 惣之助宇佐美 興一(訳)

D.L. シリングC. ビラブ(著)/岡部 豊比古(監修)/山中 惣之助宇佐美 興一(訳)

定価 4,180 円(本体 3,800 円+税)

A5判/256ページ
刊行日:1995年09月12日
ISBN:978-4-254-22135-0 C3055

ネット書店で購入する amazon e-hon 紀伊國屋書店 honto Honya Club Rakutenブックス

書店の店頭在庫を確認する 紀伊國屋書店 旭屋倶楽部

内容紹介

トランジスタ回路から集積回路までを包括的に解説した教科書。〔内容〕ダイオード回路の解析/トランジスタ回路の基礎/電界効果トランジスタ/バイアス安定度/可聴周波電力増幅器/対数単位で表わした利得/抵抗とコンデンサの標準値

編集部から

目次

1. ダイオード回路の解析
 1.1 非線形特性;理想ダイオード
 1.2 半導体ダイオード理論入門
 1.3 簡単なダイオード回路の解析;直流負荷直線
 1.4 小信号解析;動抵抗の概念
 1.5 小信号解析;交流負荷直線
 1.6 ダイオードアレイ
 1.7 関数発生器
 1.8 ダイオードの静電容量
 1.9 ショットキー・ダイオード
 1.10 ツェナー・ダイオード
 1.11 温度効果
 1.12 ダイオードの規格
 1.13 参考文献
2. トランジスタ回路の基礎
 2.1 接合トランジスタの電流輸送
 2.2 トランジスタにおける電流増幅
 2.3 トランジスタ回路の図式解法
 2.4 電力の計算
 2.5 無限大容量のバイパス・コンデンサ
 2.6 無限大容量の結合コンデンサ
 2.7 エミッタ・ホロワ
 2.8 参考文献
3. 電界効果トランジスタ
 3.1 JFETの動作原理
 3.2 MOSFETの動作原理
 3.3 ドレインとソースの交換
 3.4 pチャネルFET
 3.5 デプレッション型MOSFET
 3.6 MOSFETインバータ
 3.7 相補対称MOS
 3.8 FETスイッチ
 3.9 MOSFETにおける温度の影響
 3.10 電荷結合素子
 3.11 MOSFETの入力保護
 3.12 電力用FET
 3.13 参考文献
4. バイアス安定度
 4.1 βの変化による動作点の移動
 4.2 Q点(動作点)の温度による影響
 4.3 安定係数の解析
 4.4 ダイオードバイアス回路を用いた温度補償
 4.5 FETのバイアス安定度
 4.6 トランジスタ増幅器の周囲温度の影響
 4.7 大電力(Pc,max>1W)トランジスタの規格
5. 可聴周波電力増幅器
 5.1 A級エミッタ接地電力増幅器
 5.2 トランス結合増幅器
 5.3 B級プッシュプル電力増幅器
 5.4 コンプリメンタリ増幅器
6. 付 録
 6.1 対数単位で表わした利得;デシベル(dB)
 6.2 抵抗とコンデンサの標準値
 6.3 電子素子の特性

執筆者紹介

関連情報

関連書籍

ジャンル一覧

ジャンル一覧

  • Facebook
  • Twitter
  • 「愛読者の声」 ご投稿はこちら 「愛読者の声」 ご投稿はこちら
  • EBSCO eBooks
  • eBook Library