シリーズ: 朝倉物性物理シリーズ 6
二次元電子と磁場
A5/176ページ/2007年09月15日
ISBN978-4-254-13726-2 C3342
定価4,400円(本体4,000円+税)
川路紳治 著
教科・科目 : 物理学
※現在、弊社サイトからの直販にはお届けまでお時間がかかりますこと、ご了承お願いいたします。
半導体界面の二次元電子の誕生からアンダーソン局在と量子ホール効果の発見および諸現象について詳細かつ興味深く解説。〔内容〕序章/二次元電子系/二次元電子のアンダーソン局在/強磁場中の二次元電子の電気伝導/量子ホール効果。[立ち読み]もご覧ください。
目次
1. 序章 1.1 表面電気伝導と表面散乱 1.2 半導体界面量子効果と二次元電子 1.3 二次元電子の弱局在と負磁気抵抗 1.4 強磁場中の二次元電子:量子ホール効果
2. 二次元電子 2.1 二次元電子 2.2 二次元電子の実現可能性 2.3 半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子 2.4 シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT 2.5 半導体表面空間電荷層:空乏層 2.6 シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位 2.7 シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性 2.8 シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果
3. 二次元電子のアンダーソン局在 3.1 二次元ドナーと二次元伝導帯 3.2 二次元電子の低温における電気伝導 3.3 アンダーソン局在 3.4 アンダーソン局在のスケーリング理論 3.5 二次元電子における弱局在効果 3.6 有限温度における二次元電子の弱局在 3.7 二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗 3.8 負磁気抵抗による電子温度の測定と電子-格子相互作用 3.9 GaAsヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展 3.10 GaAsヘテロ接合二次元電子のスピン-軌道相互作用 3.11 二次元電子の金属絶縁体転移 3.12 Appendix 氷上,Larkinと長岡による二次元電子の負磁気抵抗の式
4. 強磁場中の二次元電子の電気伝導 4.1 磁場中の二次元電子による電気伝導 4.2 強磁場中の二次元電子 4.3 強磁場中の二次元電子の対角伝導率 4.4 強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在 4.5 多体効果によるスピン分離の拡大 4.6 谷分離 4.7 強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定
5. 量子ホール効果 5.1 電子局在と量子ホール効果 5.2 量子化ホール抵抗の高精度測定 5.3 量子ホール効果による抵抗標準RK−90と基礎物理定数 5.4 1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定 5.5 量子ホール効果の理論的考察 5.6 量子ホール効果に関連する実験
文献 索引
|
|
|