朝倉書店 Asakura Pulishing Co., Ltd.
お問い合わせカートをみる購入ヘルプ
会社案内利用規約プライバシー規約サイトマップ採用情報リンク常備店一覧
教科書についてのお問合せ
「愛読者の声」ご投稿はこちら
ジャンル検索


SSL GMOグローバルサインのサイトシール

最終更新日:2017.05.16

会社案内

ジャンル物理学物性物理

シリーズ: 朝倉物性物理シリーズ 6

二次元電子と磁場

二次元電子と磁場
立ち読み

A5/176ページ/2007年09月15日
ISBN978-4-254-13726-2 C3342
定価4,320円(本体4,000円+税)

川路紳治 著

教科・科目 : 物理学

カートに入れる

【書店の店頭在庫を確認する】    

紀伊國屋書店 旭屋倶楽部 東京都書店案内

半導体界面の二次元電子の誕生からアンダーソン局在と量子ホール効果の発見および諸現象について詳細かつ興味深く解説。〔内容〕序章/二次元電子系/二次元電子のアンダーソン局在/強磁場中の二次元電子の電気伝導/量子ホール効果。[立ち読み]もご覧ください。

目次

1. 序章 
1.1 表面電気伝導と表面散乱 
1.2 半導体界面量子効果と二次元電子 
1.3 二次元電子の弱局在と負磁気抵抗 
1.4 強磁場中の二次元電子:量子ホール効果 

2. 二次元電子
2.1 二次元電子 
2.2 二次元電子の実現可能性 
2.3 半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子 
2.4 シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT 
2.5 半導体表面空間電荷層:空乏層 
2.6 シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位 
2.7 シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性 
2.8 シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果 

3. 二次元電子のアンダーソン局在 
3.1 二次元ドナーと二次元伝導帯 
3.2 二次元電子の低温における電気伝導 
3.3 アンダーソン局在 
3.4 アンダーソン局在のスケーリング理論 
3.5 二次元電子における弱局在効果 
3.6 有限温度における二次元電子の弱局在 
3.7 二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗 
3.8 負磁気抵抗による電子温度の測定と電子-格子相互作用 
3.9 GaAsヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展 
3.10 GaAsヘテロ接合二次元電子のスピン-軌道相互作用 
3.11 二次元電子の金属絶縁体転移 
3.12 Appendix 氷上,Larkinと長岡による二次元電子の負磁気抵抗の式 

4. 強磁場中の二次元電子の電気伝導 
4.1 磁場中の二次元電子による電気伝導 
4.2 強磁場中の二次元電子 
4.3 強磁場中の二次元電子の対角伝導率 
4.4 強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在 
4.5 多体効果によるスピン分離の拡大 
4.6 谷分離 
4.7 強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定 

5. 量子ホール効果 
5.1 電子局在と量子ホール効果 
5.2 量子化ホール抵抗の高精度測定 
5.3 量子ホール効果による抵抗標準RK−90と基礎物理定数 
5.4 1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定 
5.5 量子ホール効果の理論的考察 
5.6 量子ホール効果に関連する実験 

文献 
索引