目次

1.　序章　
1.1　表面電気伝導と表面散乱　
1.2　半導体界面量子効果と二次元電子　
1.3　二次元電子の弱局在と負磁気抵抗　
1.4　強磁場中の二次元電子：量子ホール効果　

2.　二次元電子
2.1　二次元電子　
2.2　二次元電子の実現可能性　
2.3　半導体ヘテロ接合量子井戸の二次元電子　
2.4　シリコンMOS型電界効果トランジスターとHEMT　
2.5　半導体表面空間電荷層：空乏層　
2.6　シリコンnチャネル反転層のエネルギー準位　
2.7　シリコンnチャネル反転層の電子移動度の異方性　
2.8　シリコンnチャネル反転層の次元性と磁気抵抗効果　

3.　二次元電子のアンダーソン局在　
3.1　二次元ドナーと二次元伝導帯　
3.2　二次元電子の低温における電気伝導　
3.3　アンダーソン局在　
3.4　アンダーソン局在のスケーリング理論　
3.5　二次元電子における弱局在効果　
3.6　有限温度における二次元電子の弱局在　
3.7　二次元電子の弱局在状態の磁気抵抗　
3.8　負磁気抵抗による電子温度の測定と電子-格子相互作用　
3.9　GaAsヘテロ接合二次元電子の負磁気抵抗と理論の発展　
3.10　GaAsヘテロ接合二次元電子のスピン-軌道相互作用　
3.11　二次元電子の金属絶縁体転移　
3.12　Appendix　氷上，Larkinと長岡による二次元電子の負磁気抵抗の式　

4.　強磁場中の二次元電子の電気伝導　
4.1　磁場中の二次元電子による電気伝導　
4.2　強磁場中の二次元電子　
4.3　強磁場中の二次元電子の対角伝導率　
4.4　強磁場中の二次元電子の対角伝導率と局在　
4.5　多体効果によるスピン分離の拡大　
4.6　谷分離　
4.7　強磁場中の二次元電子の対角伝導率とホール伝導率の測定　

5.　量子ホール効果　
5.1　電子局在と量子ホール効果　
5.2　量子化ホール抵抗の高精度測定　
5.3　量子ホール効果による抵抗標準RK−90と基礎物理定数　
5.4　1990年以降の量子化ホール抵抗の高精度測定　
5.5　量子ホール効果の理論的考察　
5.6　量子ホール効果に関連する実験　

文献　
索引