目次

1.　電子のエネルギー帯構造
　1.1　自由電子モデル
　1.2　ブロッホの定理
　1.3　ほとんど自由な電子による近似
　1.4　還元領域表示
　1.5　自由電子帯
　1.6　擬ポテンシャル法
　1.7　k・p摂動
2.　サイクロトロン共鳴とエネルギー帯
　2.1　サイクロトロン共鳴
　2.2　価電子帯の解析
　2.3　スピン・軌道相互作用
　2.4　伝導帯の非放物線性
　2.5　磁界中の電子の運動とランダウ準位
3.　ワニエ関数と有効質量近似
　3.1　ワニエ関数
　3.2　有効質量近似
　3.3　浅い不純物準位
　3.4　GeとSiの不純物準位
4.　光学的性質1
　4.1　光の反射と吸収
　4.2　直接遷移と吸収係数
　4.3　結合状態密度
　4.4　間節遷移
　4.5　励起子
　4.6　誘電関数
　4.7　ピエゾ複屈折
5.　光学的性質2
　5.1　変調分光
　5.2　ラマン散乱
　5.3　ブリルアン散乱
　5.4　ポラリトン
　5.5　自由キャリア吸収とプラズモン
6.　電子−格子相互作用と電子輪送
　6.1　格子振動
　6.2　ボルツマンの輸送方程式
　6.3　散乱確率と行列要素
　6.4　散乱割合と緩和時間
　6.5　移動度
7.　磁気輸送現象
　7.1　ホール効果
　7.2　電流磁気効果
　7.3　シュブニコフ・ドハース効果
　7.4　磁気フォノン共鳴
8.　量子構造
　8.1　歴史的背景
　8.2　2次元電子系
　8.3　2次元電子ガスの輸送現象
　8.4　超格子
　8.5　メゾスコピック現象
　8.6　アハラノフ・ボーム効果(AB効果)
　8.7　バリスティック電子伝導
　8.8　量子ホール効果
　8.9　クーロン・ブロッケイドと単一電子トランジスター
9.　付　　録
　9.1　デルタ関数とフーリエ変換
　9.2　立方晶における1軸性応力とひずみ成分
　9.3　ボゾン演算子
　9.4　乱雑位相近似とリンドハードの誘電関数
　9.5　密度行列
10.　参考文献
11.　索　　引

半導体デバイスの物理