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最終更新日:2019.08.06

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シリーズ: 電気電子工学シリーズ 5

電子デバイス工学

電子デバイス工学

A5/120ページ/2007年11月25日
ISBN978-4-254-22900-4 C3354
定価2,592円(本体2,400円+税)

宮尾正信 ・佐道泰造 著

教科・科目 : 電気・電子工学

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紀伊國屋書店 旭屋倶楽部 東京都書店案内

集積回路の中心となるトランジスタの動作原理に焦点をあてて,やさしく,ていねいに解説した。〔内容〕半導体の特徴とエネルギーバンド構造/半導体のキャリヤと電気伝導/バイポーラトランジスタ/MOS型電界効果トランジスタ/他

目次

1. 半導体の特徴とエネルギーバンド構造
 1.1 半導体の特徴
 1.2 エネルギーバンド構造
 1.3 エネルギーバンド構造の見方と物性

2. 半導体のキャリヤと電気伝導
 2.1 真性半導体と外因性半導体
 2.2 半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度 
 2.3 半導体中の電気伝導

3. 芒躇接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード
 3.1 pn接合の物理
 3.2 pn接合の整流性 
 3.3 pn接合の静電容量 
 3.4 pn接合の逆電圧降伏
 3.5 ショットキー接触と整流性

4. バイポーラトランジスタ
 4.1 基本構造と動作原理 
 4.2 ベース接地回路の電流増幅率 
 4.3 各種接地回路の電流増幅率 

5. MOS型電界効果トランジスタ
 5.1 MOS構造と基本特性 
 5.2 MOS型電界効果トランジスタの基本特性 
 5.3 MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題 

6. 大規模集積回路
 6.1 大規模集積回路の分類 
 6.2 大規模集積回路の基本回路 

参考図書
演習問題解答
索引