半導体工学 (第2版)

松波 弘之(著)

松波 弘之(著)

定価 3,630 円(本体 3,300 円+税)

A5判/250ページ
刊行日:2014年09月15日
ISBN:978-4-254-22164-0 C3055

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内容紹介

半導体材料やデバイスを物理的に理解するための教科書。[内容]半導体の性質/接合・界面/半導体材料/ダイオード/バイポーラ・トランジスタ/電界効果トランジスタ/集積回路/半導体ホトニクス/パワーエレクトロニクスほか。

編集部から

本書は(株)昭晃堂から発行していた書目を朝倉書店より再発行するものです。

目次

1.固体物理の基礎
原子構造/結晶と化学結合/結晶の不完全性/格子振動/エネルギー帯構造/フェルミ・ディラック統計
2.半導体の基礎的性質
真性半導体/外因形半導体/多数キャリヤと少数キャリヤ/キャリヤ密度/フェルミ準位/半導体の電気伝導/キャリヤの生成・消滅/キャリヤの生成・消滅があるときの電流/半導体内の空間電荷
3.半導体の諸性質
磁電的性質/熱電的性質/光学的性質/光電的性質/発光現象/高電界効果
4.接合ならびに界面の現象
金属と半導体の接触/ショットキー障壁の解析/pn接合の理論/薄いpn接合/pn接合の破壊現象/ヘテロ接合/MIS構造
5.半導体材料と処理技術
半導体材料/半導体材料の精製/単結晶製作法/半導体加工技術
6.ダイオード
直流特性/交流特性/スイッチ特性,過渡特性/雑音/各種の接合ダイオード
7.バイポーラ・トランジスタ
構造と特性/直流動作特性/交流動作特性/ベース領域における諸現象/コレクタ接合の及ぼす影響/各種のバイポーラ・トランジスタ
8.電界効果トランジスタ
MOS電界効果トランジスタ/接合形電界効果トランジスタ/ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタ/静電誘導トランジスタ
9.集積回路
集積回路/バイポーラ集積回路/MOS集積回路/メモリ用集積回路/電荷転送素子
10.半導体ホトニクス
太陽電池/光検出素子/発光ダイオード/半導体レーザ
11.パワーエレクトロニクス
整流ダイオード/パワートランジスタ/サイリスタ/ゲートターンオフサイリスタ
付録
•導電帯の電子捕獲
•拡散方程式
付表
•周期表
•おもな物理定数

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