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朝倉電気電子工学大系 4 ナノスケール・トランジスタの物理
名取 研二(著)
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内容紹介
黎明期以降のトランジスタの発展，すなわち集積回路の高集積化に対応する極微スケールでの動作機構や物理を解説。〔内容〕半導体のキャリヤ輸送／解析／古典的なMOSFET／バリスティックなMOSFET／微細系のキャパシタンス／他
編集部から
目次
1はじめに
2半導体のキャリヤ輸送
2.1従来の輸送理論
2.1.1ボルツマン輸送方程式と移動度
2.1.2速度飽和
2.2微細構造の輸送理論
2.2.1ランダウアーの公式
2.2.2微細な半導体素子の電流
3フラックスを用いたキャリヤ輸送の解析
3.1完全にエネルギー緩和するキャリヤ輸送
3.2弾性散乱系のキャリヤ輸送
3.3弾性散乱に光学フォノン散乱を加えた系のキャリヤ輸送
4古典的なMOSFETの理論
4.1MOS接合
4.1.1MOS反転層
4.1.2エネルギー・レベルの量子化
4.2MOSFET
4.2.1ドレイン電流モデル
4.2.2高電界の電流のモデル
4.2.3MOSFETのスケーリング則
5バリスティックなMOSFETの理論
5.12次元プラナーMOSFET
5.1.1ドレイン電流
5.1.2注入速度
5.1.3キャリヤ統計とドレイン電流
5.1.4バリスティック電流と実測値
5.23次元立体構造MOSFET
6準バリスティックなMOSFETへの拡張
6.1Lundstromの式
6.2準バリスティックMOSFETのコンパクト・モデル
6.2.1プラナー準バリスティックMOSFET
6.2.23次元立体構造の準バリスティックMOSFET
6.2.3後方散乱係数
6.2.4低電界移動度
7微細系のMOSキャパシタンス
7.1キャパシタンス成分への分割
7.2状態密度に由来するキャパシタンス
7.3反転層の厚さのキャパシタンス
7.4電界の遮蔽距離のキャパシタンス
8MOSトランジスタの微細化限界
参考文献
索引
執筆者紹介
分冊・シリーズ
