先端材料のための新化学 9 半導体の化学

逢坂 哲彌山崎 陽太郎奥戸 雄二(著)

逢坂 哲彌山崎 陽太郎奥戸 雄二(著)

定価 4,180 円(本体 3,800 円+税)

A5判/200ページ
刊行日:1996年12月10日
ISBN:978-4-254-25569-0 C3358

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内容紹介

化学系の大学3,4年生,大学院生,さらに研究開発に携わる人に,半導体の理論から実際面までを解説。〔内容〕半導体の基礎/半導体デバイスの基礎概念と半導体デバイス/半導体集積回路プロセス技術/半導体材料における最近の話題

編集部から

目次

1. 半導体の基礎
 1.1 はじめに
 1.2 結 晶
 1.3 半導体とは
 1.4 半導体のなかの電子と正孔
 1.5 半導体のなかの不純物
 1.6 不純物を含む半導体
 1.7 半導体内の電荷の移動
 1.8 半導体内を流れる電流
 1.9 電荷の消滅と生成
2. 半導体デバイスとその特性
 2.1 はじめに
 2.2 ダイオード
 2.3 バイポーラトランジスタ
 2.4 電界効果トランジスタ
 2.5 半導体メモリの種類
 2.6 集積回路
 2.7 受光デバイス
 2.8 発光デバイス
 2.9 液晶ディスプレイ用TFT
3. 半導体集積回路プロセス技術
 3.1 はじめに
 3.2 SiLSIのできるまで(CMOSLSIの製作工程)
 3.3 各種個別技術
 3.4 フォトレジストとリソグラフィ
 3.5 洗浄技術,清浄化技術
4. 半導体材料における最近の話題
 4.1 高精度エッチング用プラズマ技術の進展
 4.2 高密度回路実装技術(MCMを中心として)
 4.3 強誘電体薄膜材料と半導体メモリへの応用
 4.4 これからのレジスト材料
5. 索 引

執筆者紹介

【編集】日本化学会
【執筆者】浅海慎五,逢坂哲彌,奥戸雄二,大塚寛治,黒田一幸,小岩一郎,寒川誠二,戸嶋直樹,山崎陽太郎

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